NSVT45010MW6T3G دیتاشیت

NSVT45010MW6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVT45010MW6T1G
حجم فایل 83.53 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NSVT45010MW6T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVT45010MW6T3G
  • Transistor Type: 2PCSPNP(Dual)
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 380mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@5mA,100mA
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: onsemi